A gyártó 30 nm-en gyártott lapkákat használ fel az új RDIMM modulok megalkotásához.
A Samsung hivatalosan is bejelentette, hogy a világon elsőként kezdik meg a 32 GB-os DDR3 memóriamodulok tömeggyártását. Ehhez olyan 30 nm-es eljárással készített lapkákat használnak fel, melyek 4 Gbit kapacitással bírnak, de ami még fontosabb, hogy az 1.866 MHz-es effektív órajel eléréséhez mindössze 1,35 Volt feszültségre van szükségük. Összehasonlításképpen, a 40 nm-en gyártott lapkák 1,5 Voltot igényeltek 1.333 MHz-nél. Ez annyit jelent, hogy az új lapkák 18%-al kevesebb energiát igényelnek miközben jelentős mértékben gyorsultak. Az új modulok RDIMM típusúak, vagyis szerverekbe készülnek elsősorban. A gyártó azonban itt nem áll meg, ugyanis már tervezik a 20 nm-es DDR3 lapkák gyártását, amit a második félévre datálnak.
