DDR3 memóriák már 30 nm-en

A Samsung emellett még további nagy volumenű fejlesztéseket tervez az év végéig.

A Samsung megkezdte a 2 Gbites memórialapkák tömeggyártását 30 nm-en. Ennek következtében sikerült a fogyasztást és az üzemi feszültséget jelentős mértékben csökkenteni. Ez azt jelenti, hogy 1,35 voltos feszültség mellett akár 1.866 MHz-es órajel is elérhető, 1,5 voltos feszültséggel pedig 2.133 MHz. A korábbi, 50 nm-en gyártott lapkákhoz képest az energiamegtakarítás a 20%-ot is elérheti szerverfronton. A gyártó azonban itt nem áll meg és ez év végéig 4 Gbites lapkákat is be szeretnének mutatni, amelyekkel már 8 GB-os modulok gyártására is lehetőség nyílik asztali és notebook vonalon, míg szerverek esetében egy modul kapacitása a 32 GB-os is elérheti.

A jelenlegi 2 Gbites lapkákkal szerelt modulok 2, 4, illetve 8 GB-os kapacitással lesznek elérhetőek, de a várható árakról egyelőre nincsenek információk.