A dél-koreai vállalat belekóstolt a memóriamodulok következő generációjába.
A Samsung után a Hynix is előállt saját készítésű, DDR4-es szabványú memóriamoduljával. Az alkalmazott lapkák 2.400 MHz-es effektív órajelen ketyegnek 1,2 voltos feszültség mellett, továbbá ezek a 2 gigabites chipek 30 nm-es eljárással készültek és 80%-al gyorsabbak, mint az 1.333 MHz-es DDR3-as társaik. A friss modulok SO-DIMM foglalatba illeszkednek és ECC támogatással bírnak, a sávszélesség pedig eléri a 19,2 GB/s értéket is. A Hynix állítása szerint ezen modulok 64 bites I/O csatornát használnak, tömeggyártásuk a 2012-es év közepén indulhat be.
