65 nanométeres technológia a mobil platformra

Az Intel 65 nanométeres (a nanométer a méter 1 milliárdod (10-9) része) technológiája az energiafogyasztás és teljesítmény jobb kombinációját nyújtja, mint az Intel jelenleg alkalmazott
90 nanométeres eljárása, így az Intel chiptervezőinek több lehetőséget biztosít az áramkörök sűrűsége, teljesítménye és energiafogyasztásának tervezése terén, ezzel kielégítve az akkumulátorfüggő eszközök használóinak igényeit.

 

„Az emberek olyan mobil platformokat keresnek, amelyek maximalizálják az akkumulátor élettartamát,” – mondta Mooly Eden, az Intel Mobile Platforms Group alelnöke és igazgatója. „Ilyen eszközök fejlesztése várható a jelenleg fejlesztés alatt álló technológiától. Két csúcstechnológiás, 65 nanométeres eljárásunk teljes körű kihasználásával a jövő mobil platformjait fogjuk tervezni.”

 

Az egyik kulcsfontosságú kérdés a chipek energiafogyasztásának csökkentése kapcsán a tranzisztorok fejlesztése, amely a mobil és akkumulátoros eszközök miatt fontos szempont. A mikroszkopikus tranzisztorok még kikapcsolt állapotban is fogyasztanak elektromosságot, amellyel nem kis fejtörést okoznak az egész iparágnak.

 

„Az egyes chipeken lévő tranzisztorok száma meghaladhatja akár az egy milliárdot is, így érthető, hogy a tranzisztorok fejlesztése mennyire pozitívan hathat az egész eszközre” mondta Mark Bohr, az Intel Process Architecture and Integration vezetője. „Az Intel 65 nanométeres technológiával készített energiatakarékos chipeknek a tesztje megmutatta, hogy a tranzisztorok ’szivárgása’ durván ezerszer kisebb, mint a hagyományos gyártási folyamatból kikerülő termékeknél. Ez óriási energia megtakarítást jelent azon felhasználók számára, akiknek eszközei erre a technológiára épülnek.

 

 

Az Intel 65 nm-es gyártási technológiája számos lényeges tranzisztormódosítást tartalmaz, amely lehetővé teszi a kisebb mértékű energia felhasználást, miközben az iparágban egyedülálló teljesítményt nyújt. A tranzisztor módosítások jelentős mértékben csökkentették a szivárgási áram mértékét. A csökkenő tranzisztor szivárgás javára írható az alacsonyabb energiafogyasztás és az akkumulátorok megnövekedett élettartama.

 

 

Az Intel 65 nanométeres technológiája egyesíti a magasabb teljesítményű és kisebb energiafelhasználású tranzisztorokat, az Intel feszített szilíciumát, nagysebességű, rézalapú átkötéseket, valamint alacsony k-együtthatójú dielektrikummal történő szigetelést. A 65 nm-es gyártási technológiával készült processzorok lehetővé teszik, hogy az Intel megduplázza a ma (az Intel 90 nm-es technológiáját használva) egy chipre építhető tranzisztorok számát.

 

Az Intel 65 nanométeres processzorai 35 nanométer kapuhosszúságú tranzisztorokat tartalmaznak majd, amelyek a tömeggyártás legkisebb, egyben legnagyobb teljesítményű CMOS tranzisztorai lesznek. Összehasonlításképpen a ma gyártott legfejlettebb tranzisztorok az Intel® Pentium® 4 processzorokban találhatóak, ezek 50 nm-esek. A kicsi és gyors tranzisztorok a nagyon gyors processzorok fő építőelemei. 

 

Az Intel ezt a második generációs, nagy teljesítményű feszített szilíciumot alkalmazza a 65 nm-es technológiánál. A feszített szilíciumot alkalmazva az áram nagyobb sebességgel áramlik, így növelve a tranzisztorok sebességét és a gyártási költséget csupán két százalékkal növeli.

 

Az Intel technológiáról bővebb információt a www.intel.com/technology oldalon talál.