20 nm-re vált a Samsung a NAND Flash lapkáknál

A koreai vállalat 64 gigabites adatsűrűséget alkalmaz új chipjeinél, melyeket SSD termékekben is viszont láthatunk majd.

A Samsung Electronics hivatalosan is bejelentette, hogy megkezdte az úgynevezett Toggle DDR2.0 MLC típusú NAND Flash lapkák gyártását, melyeket 20 nm-es eljárással készítenek és 64 gigabites (8 GB) adatsűrűséggel bírnak. A Toggle DDR2.0 nevű interfész 400 Mbps tempóra képes, ami tízszeres növekedést jelent az SDR (Single Data Rate) NAND Flash memóriákhoz képest, hiszen ez utóbbiak mindössze 40 megabites sebességre képesek. A Toggle DDR 1.0 nevű interfész pedig 133 megabitnyi adatot képes átpréselni másodpercenként., így ehhez képest a 2.0 változat háromszoros ugrást jelent sebesség tekintetében. A gyártó nem utolsó sorban 50%-os javulást vár a gyártási kihozatalban a 32 Gbites változatokhoz képest.

Az új fejlesztést a Samsung elsősorban negyedik generációs okostelefonokba, tabletekbe, valamint SATA III interfészt használó SSD termékekbe szánja, illetve ajánlja.